인피니언이 업계 최초로 300mm 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 기반 전력반도체 구현에 성공했다. 생산 효율 향상을 통해 전기차·재생에너지·AI 데이터센터 등 고효율 전력반도체 시장의 경쟁력을 강화할 것으로 기대된다.

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 오스트리아 빌라흐 공장에서 300mm SiC 웨이퍼를 성공적으로 가공해 실제 동작하는 전력 디바이스를 구현했다고 12일 밝혔다.

이번 성과는 실제 반도체 제조 환경에서 기존 실리콘(Si) 생산장비를 활용해 300mm SiC 웨이퍼 기반 전력 디바이스를 구현한 업계 최초 사례다.

300mm 웨이퍼는 기존 200mm 웨이퍼보다 웨이퍼당 생산 가능한 칩 수가 약 2.3배 많아 생산 효율을 크게 높일 수 있다. 특히 기존 Si 생산장비를 활용할 수 있어 향후 300mm SiC 기술의 산업화와 생산능력 확대를 위한 기반을 마련했다는 점에서 의미가 크다.

이를 통해 인피니언은 자동차, 재생에너지, 산업용 전력 시스템 및 AI 데이터센터 분야에 비용 효율적이고 안정적인 SiC 전력반도체 공급 기반을 구축한다는 전략이다.

SiC는 기존 실리콘 기반 전력반도체보다 전력 손실을 줄이고 높은 전력 밀도를 구현할 수 있는 차세대 전력반도체 소재다. 고전압·고온 환경에서도 효율적인 동작이 가능해 에너지 효율 향상과 전력 시스템의 고성능화에 핵심적인 역할을 한다.

주요 적용 분야는 전기차 구동용 트랙션 인버터와 온보드 충전기, 전기차 충전기, 대규모 에너지저장시스템(ESS), 산업용 드라이브 및 무정전전원장치(UPS) 등이다.

최근에는 AI 데이터센터의 전력 수요 증가에 따라 반도체 변압기(SST), 반도체 차단기(SSCB), 전원공급장치(PSU) 등에서도 SiC 전력반도체의 활용이 확대되고 있다. 인피니언은 자사의 CoolSiC™ 제품군을 통해 이러한 고효율 전력변환 시장에 대응하고 있다.

인피니언은 실리콘(Si), 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 주요 전력반도체 소재를 기반으로 제조기술과 제품 포트폴리오를 확대하고 있다.

앞서 지난 10월에는 오스트리아 빌라흐에 300mm GaN 전력반도체 양산시설을 구축하기 위해 약 11억유로를 투자한다고 발표한 바 있다. 이번 SiC 기술 구현으로 주요 전력반도체 소재 전반에서 300mm 웨이퍼 기반 생산기술 확보를 추진하게 됐다.

요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “이번 기술적 이정표는 전력 시스템 분야에서 인피니언의 리더십을 한층 강화한다”며 “실리콘, 질화갈륨에 이어 실리콘 카바이드에서도 300mm 웨이퍼 기술을 구현함으로써, 반도체 생산을 확대하고 지속적인 성장을 추진할 수 있는 선도적인 입지를 확보했다”고 말했다.