▲ SK하이닉스 중장기 반도체 투자 전략(출처:SK하이닉스)

SK하이닉스가 급증하는 글로벌 인공지능(AI) 메모리 메모리 반도체 수요에 선제적으로 대응하기 위해, 용인·청주·서남권에 총 1,100조원을 투자해 반도체 클러스터를 건설한다. 새로운 생산기지로 점찍은 서남권 클러스터는 반도체 전(前)공정 팹을 중심으로 조성한다는 계획이다.

SK하이닉스는 이재명 대통령 주재로 29일 청와대에서 열린 ‘대한민국 대도약 3대 메가프로젝트 국민보고회’에서 총 1,100조원 규모의 중장기 투자 전략을 발표했다.

이번 투자 계획은 AI 데이터센터 투자가 2025년 4,660억달러에서 2030년 3조3,790억달러로 5년 만에 약 7.2배 늘어날 것으로 전망되는 가운데 급증하는 AI 반도체 수요에 선제 대응하기 위한 전략의 일환이다.

특히 AI 데이터센터에 들어가는 고대역폭메모리(HBM)는 칩을 위아래로 연결하는 통로인 TSV(실리콘 관통 전극)를 넣어야 하기 때문에 크기가 더 커지고 여러 칩을 쌓아 붙이는 공정이 필요하다. 때문에 일반 D램과 같은 용량을 만들더라도 더 많은 웨이퍼가 필요하고 새로운 팹을 짓는데도 오랜 시간이 걸리는 만큼 충분한 생산 능력을 미리 확보하는 것이 무엇보다 중요한 경쟁력이 되고 있다.

이에 SK하이닉스는 △용인 반도체 클러스터 600조원 △청주 낸드 신규 팹 100조원 △서남권 반도체 클러스터 400조원 등 총 1,100조원을 단계적으로 투자할 계획이다.

이번에 가장 관심을 받은 서남권 반도체 팹 투자에 대해 회사 측은 늘어나는 반도체 수요에 차질 없이 대응하기 위한 대형 거점 구축을 그간 두루 검토해 왔으며, 대규모 부지를 확보할 수 있고, 정부와 지자체가 전력·용수 등 인프라 구축에 적극적인 의지를 보이고 있는 지역인 서남권을 선택했다고 밝혔다.

구체적인 구축 부지 위치는 전력·용수·교통 등 인프라 여건과 부지 확보 상황을 종합적으로 고려해 관계 기관과 협의를 거쳐 확정해 나갈 계획이다. 서남권에는 메모리 전공정을 중심으로 팹이 조성될 계획으로 부지 확보와 팹 건설, 생산 설비 도입 등을 포함해 총 400조원이 단계적으로 투입될 예정이다. SK하이닉스는 다만 구체적인 규모와 일정은 수요 상황에 따라 달라질 수 있고 향후 이사회 승인 등을 거쳐 단계적으로 확정해 나갈 예정이라고 밝혔다.

이와 함께 SK하이닉스는 당초 2045년 완공 예정이던 용인 반도체 클러스터 구축 일정을 12년 앞당겨 2033년까지 4번째 팹의 건설을 완료하는 것을 목표로 총 600조원을 투입할 계획이다.

낸드, HBM, 첨단 패키징 등 AI 반도체 생산 거점인 청주캠퍼스는 낸드 증산을 위한 투자를 앞당기고 100조원 규모의 투자가 진행될 예정이다. 이는 낸드 신규 팹 건설과 생산 장비 도입 등 시설 투자에 쓰이고, HBM 후공정을 담당하는 첨단 패키징 역량 강화 등에도 사용될 예정이다.

SK하이닉스는 “이번 중장기 투자 전략은 빠르게 증가하는 글로벌 AI 메모리 수요를 내다본 전략적 결정으로, SK하이닉스는 신규 팹을 순차적으로 건설하면서 시장 상황과 투자 원칙에 맞춰 유연하게 집행해 나가겠다”며 “이러한 투자는 대한민국이 AI 강국으로 도약하는 기반이자, 나아가 글로벌 AI 생태계의 발전을 이끄는 강력한 원동력이 될 것”이라고 밝혔다.