▲ 용인 반도체 클러스터 조감도

SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터 건설을 통해 한국 반도체 산업의 경쟁력을 높이고 경제 활성화에 기여할 전망이다.

SK하이닉스는 26일 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조 4,000억 원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다.

SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다.

회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 글로벌 AI 반도체 생산 거점으로 성장시킨다는 계획이다.

이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 `28년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 `24년 8월부터 `28년 말까지로 산정했다.

회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.

이와 함께 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다.

SK하이닉스 김영식 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.

SK하이닉스는 기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 `27년 5월에 준공할 계획이며, 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받았다고 설명했다. 회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다고 밝혔다.