▲ 정은승 삼성전자 파운드리 사업부 사장이 삼성전자의 파운드리 사업전략과 첨단 공정 로드맵, 응용처별 솔루션에 대해 발표하고 있다.

삼성전자가 올해 하반기 EUV 장비를 적용한 7나노 공정의 시험 생산에 들어가며 차별화된 기술력으로 반도체 초격차 전략 가속에 나선다.

삼성전자는 22일 미국 Santa Clara 메리어트 호텔에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2018(Samsung Foundry Forum 2018)’을 개최하고 파운드리 사업전략과 첨단 공정 로드맵, 응용처별 솔루션에 대해 발표했다.

이날 포럼에서 삼성전자는 매년 확장되는 파운드리 시장 규모와 차별화된 기술력을 바탕으로 향후 파운드리 사업의 비전을 제시했다.

또한 주력 양산 공정인 14/10나노 공정, EUV를 활용한 7/5/4나노 공정에서 새롭게 3나노 공정까지의 로드맵을 공개하며, 향후 광범위한 첨단 공정 개발과 설계 인프라, SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)의 지속 확장에 대해 발표했다.

우선 삼성전자는 올해 EUV 장비를 적용한 최초의 로직 공정인 7LPP(7나노 Low Power Plus)를 올해 하반기 시험생산에 들어가며, 2019년 상반기 생산 목표로 개발 중이라고 밝혔다.

5LPE(5나노 Low Power Early)은 Smart Scaling으로 7나노 대비 면적 및 소비전력을 축소했고, 4LPE/LPP(4나노 Low Power Early/Plus)은 FinFET을 적용한 마지막 공정으로 5nm에서 Easy migration 지원한다고 밝혔다.

또한 3GAAE/GAAP(3나노 Gate-All-Around Early/Plus)는 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET)을 최초 적용해 게이트 컨트롤 개선으로 성능을 대폭 향상시켰다.

MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET)은 FinFET 구조의 크기 축소와 성능 향상의 한계를 극복한 GAAFET(Gate All Around FET) 기술의 삼성전자 독자 브랜드다.

삼성전자 파운드리 사업부 전략마케팅팀장 배영창 부사장은 “지난 한 해, EUV 공정을 적용한 포트폴리오를 강화하는데 주력해왔다”며 “향후 GAA(Gate-All-Around)구조를 차세대 공정에 적용함으로써 단순히 기술 리더십을 선도할 뿐 아니라 좀 더 스마트하며 기기 간의 연결성을 강화한 새로운 시대를 열어갈 수 있으리라 기대한다”고 말했다.

한편 ‘삼성 파운드리 포럼 2018’은 이번 미국 포럼을 시작으로 6월 중국 상하이, 7월 한국 서울, 9월 일본 도쿄, 10월 독일 뮌헨으로 이어질 예정이다.