▲ SK하이닉스 용인 반도체 일반산단 조감도

SK하이닉스가 120조원을 투자해 용인 반도체 일반산단에 구축할 예정인 최첨단 메모리 생산 팹(Fab)이 내년 3월 착공에 들어간다. 정부는 구축 계획에 차질이 없도록 이달 중 ‘첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안’을 마련하는 등 지원에 나선다.

산업통상자원부(이하 산업부)는 안덕근 장관이 SK 하이닉스 용인 반도체 일반산단(이하 클러스터)을 21일 방문했다고 밝혔다.

SK하이닉스는 메모리 반도체(DRAM, NAND) 생산을 위해 ‘46년까지 총 120조원을 투자해 용인시 처인구 원삼면 독성·고당·죽능리 일원(약 126만평)에 총 4기 팹을 구축할 계획이다. 완공시 세계 최대 규모이자 SK하이닉스의 최대 생산 거점인 3층짜리 팹이 될 예정이다.

클러스터는 ‘19년 조성계획 발표 후 인·허가 문제로 개발이 지연됐으나, 이번 정부 출범 이후 당·정·지자체·기업간 상생협약이 체결(’22.11)됨에 따라 사업이 본 궤도에 올랐다.

현재 팹 1기 부지는 약 35%의 공정률을 보이며, 현재 부지 조성 공사가 차질 없이 진행 중이다. 내년 3월에는 팹 1기가 착공될 예정이며 클린룸 오픈은 ‘27년 2분기로 예정됐다.

기업 간담회에서 안덕근 장관은 인프라의 적기 구축, 초격차 기술 확보 및 수출 확대 지원, 반도체 소부장·팹리스 생태계 강화를 약속했다. 산업부는 클러스터 내 인프라 구축을 지원하고자 지난 2월 전력공급 전담반(TF)을 발족했으며, 올해 3월까지 반도체 등 첨단특화단지 지원 전담부서 설치와 ‘첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안’을 마련할 계획이다.

산업부는 인공지능(AI) 반도체와 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 증가하는 상황에서, 반도체 기술력 확보와 수출 진작을 위해 AI 반도체 시장 선점을 위한 종합전략을 조속히 마련하고, 반도체 장비 경쟁력 강화방안을 올해 상반기에 마련할 예정이다.

또한 클러스터 내 경쟁력 있는 반도체 생태계 마련을 목표로, 소부장 기술의 양산 검증 테스트베드인 용인 ‘미니팹 사업’에 대한 예비타당성 조사를 차질 없이 진행하고, 경쟁력 있는 소부장·팹리스 기업들을 대상으로 정책자금을 공급할 예정이다.

‘미니팹 사업’은 내년부터 8년간 9,060억원을 투입해 용인시 원삼면 첨단 반도체 클러스터 내에 12인치 웨이퍼 기반의 첨단반도체 前공정용 미니팹을 구축하는 것을 내용으로 하고 있다. 이곳은 △반도체 소부장 양산 타당성 실증 △Fab 연계 성능 검증 △소부장 R&D 개발지원 △반도체 전문인력 현장 교육시설 등 역할을 하게 된다.

안덕근 장관은 “반도체 초격차는 속도에 달린 만큼 우리 기업이 클러스터 속도전에서 뒤처지지 않도록 전 부처가 합심하여 대응하겠다”고 언급하며, “올해 기업들이 반도체 1,200억 달러 수출 목표를 달성할 수 있도록 HBM 등 첨단 반도체의 수출 확대를 적극 지원하겠다”고 밝혔다.