▲ 프랙틸리아의 FAME™(Fractilia Automated Measurement Environment) 제품은 LER(line-edge roughness) / LWR(linewidth roughness), LCDU(local CD uniformity), LEPE(local edge placement error), 스토캐스틱 결함 등 모든 주요 스토캐스틱 효과를 동시에 측정한다.

프랙틸리아가 반도체 EUV(극자외선) 팹에서의 수율 관리를 위한 새로운 스토캐스틱 솔루션 FAME™ 을 발표했다.

프랙틸리아는 첨단반도체 제조에 사용되는 스토캐스틱스(stochastics) 측정 및 제어 솔루션인 FAME™ 제품의 최신버전을 출시한다고 22일 밝혔다.

FAME 제품 라인은 첨단 노드에서 패터닝 오류를 일으키는 주된 요인인 스토캐스틱스를 고도로 정확하고 정밀하게 측정한다. 신속한 의사결정과 첨단 패터닝 공정 제어가 가능해 디바이스 수율과 패터닝 생산성을 높일 수 있다.

새로운 버전의 FAME은 프랙틸리아의 검증된 3세대 FILM™(Fractilia Inverse Linescan Model) 플랫폼을 기반으로 세계 5대 칩 제조사 중 4개사가 이미 이 기술을 사용하고 있다.

스토캐스틱스(stochastics)는 임의적이면서 반복적이지 않은 패터닝 오류를 일컫는다. EUV 공정에서 총 패터닝 오류의 50% 이상을 차지한다. 따라서 반도체 팹에서는 스토캐스틱스를 제어하기 위해 이를 정확히 측정할 필요가 있다.

기존 기법으로는 스토캐스틱스를 정확하게 측정하기가 어려웠다. 첨단 193nm 광 리소그래피에서는 이미 문제가 되며, 이중 및 사중 패터닝의 경우 더욱 그렇다. EUV 공정에서 스토캐스틱스는 심각한 수율 문제로 이어지고 비용을 증가시켜왔다.

FAME은 프랙틸리아 고유의 물리학 기반 SEM 모델링과 데이터 분석 접근법을 사용해서 SEM 이미지로부터 시스템 차원의 임의적 오차를 측정 및 제거하고, ‘비편향(unbiased)’측정으로 팹 엔지니어가 수율 문제를 잘 해결하도록 한다.

또 FAME은 라인 에지 거칠기(LER)/라인폭 거칠기(LWR), 국소적인 CD 균일성(LCDU), 국소적인 에지 배치 오류(LEPE), 그리고 확률 결함을 비롯 모든 주요 스토캐스틱 효과를 동시 측정한다. 이는 업계에서 신호대 잡음비(SNR)가 가장 높은 에지 검출을 자랑하며, 각각의 SEM 이미지로부터 30배 이상 더 많은 데이터를 추출한다. 또한 FAME은 모든 SEM 장비 공급회사 및 모든 SEM 장비 모델과 호환 가능하다.

프랙틸리아의 크리스 맥 CTO는 “그동안 제조 팹들은 수율 저하를 막으려 노출량을 높이면 EUV 스캐너의 생산성이 떨어지기 때문에 추가적인 EUV 스캐너를 사용해야했다”며 “그러나 스토캐스틱스를 제어하면 공정 장비의 생산성을 높이면서 수율도 개선할 수 있다”고 밝혔다.