▲ ▲하이닉스반도체가 개발한 30나노급 2GB DDR4 D램과 2GB ECC-SODIMM.. ▲하이닉스반도체가 개발한 30나노급 2GB DDR4 D램과 2GB ECC-SODIMM.

하이닉스반도체(대표 권오철)는 4일 국제 반도체 표준협의 기구(JEDEC) 규격을 적용한 30나노급 2기가바이트(GB) 차세대 DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다.

또 이를 사용해 초소형 서버 등에 사용되는 2GB ECC-SODIMM(Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module)도 개발을 완료했다.

회사는 DDR4 제품 개발을 통해 차세대 기술을 확보하고 ECC-SODIMM을 통해 성능을 확인함으로써 향후 DDR4 표준화를 주도한다는 방침이다.

DDR4 D램은 현재 주력제품인 1.5V DDR3 D램보다 전력소모가 50%가량 줄었다.

이는 D램의 동작온도 및 명령신호 전송상태에 따라 능동적으로 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술을 적용한 것.

또 1.2V 저전압에서 업계 최초로 2400Mbps라는 초고속 데이터 전송속도를 구현해 기존 DDR3 1333Mbps 대비 처리속도가 80% 가량 향상됐다.

2400Mbps의 데이터 전송속도는 64개의 정보 입출구(I/O)를 가진 ECC-SODIMM 제품을 통해 DVD급 영화 4~5편에 해당되는 19.2GB의 데이터를 1초에 처리할 수 있다.

하이닉스 마케팅본부장 김지범 전무는 “DDR4 제품은 친환경·저전력·고성능 특성을 만족시켰다”며 “이를 통해 기존 PC 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것”이라고 밝혔다.

하이닉스는 차세대 공정을 적용한 세계 최고수준의 DDR4 D램을 2012년 하반기부터 양산해 DDR4 D램 시장을 선도한다는 계획이다.

한편 아이서플라이(iSuppli)는 DDR4 D램 비중이 2013년 5% 수준에서 2015년 50%를 넘어 시장의 주력제품이 될 것으로 예상하고 있다.

또 DDR3 D램 비중은 2012년 71%로 최고치를 기록한 뒤 2013년과 2014년에는 각각 68%, 49%로 점차 비중이 감소할 것으로 전망하고 있다.