SK하이닉스이 현존 HBM(고대역폭메모리) 세계 최대 용량인 48GB 16단 HBM3E를 개발하고 내년 초 샘플 공급에 나선다. 풀스택(Full Stack) AI 메모리 프로바이더로 지속 성장해 AI 시대를 주도한다는 계획이다.
SK하이닉스는 곽노정 대표이사 사장이 4일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘SK AI 서밋(Summit) 2024’에서 ‘차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로’를 주제로 기조연설을 했다고 밝혔다. 이날 최태원 SK 회장, 유영상 SK텔레콤 CEO 등 SK그룹 최고경영진과 주요 빅테크, AI 업계 유력인사들이 참석했다.
이 자리에서 곽 사장은 현존 HBM 최대 용량인 48GB가 구현된 16단 HBM3E 개발을 세계 최초로 공식화했다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로 AI 시대에 필수적이다. 기존 최고 HBM은 3GB D램 단품 칩을 12개 적층한 12단(36GB)이었다. 적층 단수를 높이기 위한 첨단 반도체 패키징 기술개발도 활발한 상황이다.
이날 곽 사장은 고객과 파트너, 이해관계자들과 긴밀히 협력해 D램과 낸드 전 영역에 AI 메모리 제품 라인업을 갖춘 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로 성장하겠다”며 미래 비전을 제시했다.
또한 곽 사장은 향후 본격화될 AI 시대에는 과거의 데이터를 학습하고, 이를 기반으로 새로운 데이터를 추론하는 AI가 인류에게 새로운 경험과 미래를 선물할 것이며 이런 변화는 강력한 컴퓨팅 파워를 지원하는 차세대 메모리 반도체 없이는 실현될 수 없다고 강조했다.
이를 위해 SK하이닉스는 AI 시대에 시스템 최적화를 위한 ‘옵티멀 이노베이션(Optimal Innovation)’ 제품을 선보일 예정이다. 이의 일환으로 회사는 기술 안정성을 확보하고자 48GB 16단 HBM3E를 개발 중이며, 내년 초 고객에게 샘플을 제공할 계획이다.
16단 HBM3E를 생산하기 위해 SK하이닉스는 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 패키징 공정을 활용할 계획이며, 백업 공정으로써 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술도 함께 개발하고 있다.
SK하이닉스의 16단 HBM3E는 내부 분석 결과 12단 제품 대비 학습 분야에서 18%, 추론 분야에서는 32% 성능이 향상된 것으로 나타났다.
또한 회사는 저전력 고성능을 강점으로, 향후 PC와 데이터센터에 활용될 것으로 전망되는 LPCAMM2 모듈을 개발하고 있으며 1cnm 기반 LPDDR5와 LPDDR6를 개발 중이다. 또, 낸드에서는 PCIe 6세대 SSD와 고용량 QLC 기반 eSSD, UFS 5.0을 준비 중이다. 이를 통해 고객이 더 많은 데이터를 더 작은 공간에서 저전력으로 이용할 수 있도록 지원할 계획이다.
SK하이닉스는 HBM4부터 베이스 다이(Base Die)에 로직 공정을 도입할 예정이다. 글로벌 1위 파운드리 협력사와의 원팀 파트너십을 기반으로 고객에게 최고의 경쟁력을 갖춘 제품을 제공한다는 계획이다.
이밖에도 AI 시스템 구동을 위해서는 서버에 탑재된 메모리 용량이 대폭 증가해야 하기 때문에 SK하이닉스는 여러 메모리를 연결해 대용량을 구현하는 CXL(Compute Express Link)을 준비 중이다.
곽 사장은 “AI 시대에 전 영역에 걸친 AI 메모리 솔루션 라인업을 갖춤으로써 여러분과 함께 새로운 미래를 창조해 갈 준비가 되어 있다”며 “세계 최초, 최고 지향, 최적 혁신의 기술력으로 AI 시대 주도할 것”이라고 밝혔다.
다른 곳에 퍼가실 때는 아래 고유 링크 주소를 출처로 사용해주세요.
http://amenews.kr/news/view.php?idx=59442