르네사스일렉트로닉스는 지난 7일 화합물 디바이스사업의 성장전략을 발표했다.

포토커플러(photocoupler) 분야에서는 내년 세계 시장점유율 1위를 확보하고 2012년까지 생산능력을 2배로 증강한다는 계획이다.

또 질화갈륨(GaN) 품목에서는 올해 안으로 케이블TV용 모듈의 샘플 출하를 개시, 내년에는 시장에 본격적으로 뛰어들 예정이다.

2012년에는 이 분야 매출을 2010년 계획치의 1.2배인 600억엔 규모로 끌어올린다는 목표를 세웠다.

통신의 대용량화 추세로 각광 받고 있는 화합물 반도체의 세계 시장은 올해 4,130억엔으로 예상되며 회사의 시장 점유율은 4위로 추정되고 있다.

연평균 8%의 성장률을 보이고 있어 2012년에는 4,795억엔에 달할 전망이다.

르네사스의 화합물 디바이스 사업부에서는 갈륨비소(GaAs) 등의 화합물 반도체를 재료로하는 광반도체나 마이크로 반도체를 취급하고 있다.

회사는 올해 매출액 500억엔을 계획하고 있으며 연평균 11%의 고성장으로 오는 2012년에는 600억엔 규모로 매출이 확대될 전망이다.

포토커플러란 발광 소자와 수광 소자를 조합, 빛을 매체로 신호를 전송하는 소자를 말한다. 발광 다이오드와 광 트랜지스터를 하나의 패키지에 넣은 구조로 입출력 사이가 전기적으로 절연돼 있기 때문에 전기적인 잡음 제거에 널리 사용된다.