▲ 원익IPS 본사 전경

최근 삼성전자의 세계 최초 GAA 3nm(나노미터) 파운드리 제품 양산 성공에 있어 원익아이피에스(대표이사 이현덕)의 신규 공정과 장비 기술이 뒷받침됐다.

원익아이피에스는 자사의 PECVD 성장 방식 공정과 멀티패터닝 기술이 적용된 박막 생성 및 저온 기술이 적용된 GAA기술로 삼성전자가 3nm 파운드리 제품의 양산이 성공했다고 8일 밝혔다.

이를 기념한 출하식은 이창양 산업부 장관, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사 및 협력사인 원익아이피에스 이현덕 대표이사 등이 참석한 가운데 지난 7월25일 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최됐다.

이번 출하된 3나노 파운드리 제품에는 원익아이피에스(원익IPS)의 GEMINI 설비를 활용해 PECVD 방식으로 개발된 신규 공정이 적용됐다. 신규 개발에 성공한 공정 기술은 EUV 공정 도입에 따라 필요한 신규 박막을 PECVD 방식으로 성장시키는 기술, SADP(Self-Align Double Patterning)방식에 적합한 박막을 생성하는 기술 및 저온에서 하드마스크의 고품질을 유지할 수 있는 공정 기술 등이 있다.

출하식에서 원익아이피에스의 이현덕 대표는 “삼성전자社의 3나노 GAA 파운드리 공정 양산을 준비하면서 원익IPS 역량도 강해졌다”며 “국내 반도체 장비 발전을 위해 노력하겠다”고 말했다.

한편, 원익아이피에스는 3나노 공정 안착을 위해 연구 개발을 지속할 예정이며, 세계 최초 제품을 만들어 내는 만큼 단순한 반도체 장비의 국산화를 넘어 글로벌 기업으로 자리잡기 위한 투자를 이어갈 계획이다.