▲ 세계최초 3나노 반도체 양산 출하식에서 (左부터) 삼성전자 경계현 대표이사, 산업통상자원부 이창양 장관, 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장이 기념촬영에 응하고 있다.

삼성전자가 세계 최초로 차세대 트랜지스터 GAA기술을 적용한 3나노 파운드리 공정제품 양산에 성공했다.

산업통상자원부는 이창양 산업통상자원부 장관이 25일 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최된 3나노 파운드리 양산 출하식에 참석했다고 25일 밝혔다.

이날 행사에는 이창양 산업부 장관, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사와 협력사인 원익IPS 이현덕 대표이사, 동진쎄미켐 이준혁 대표이사, 솔브레인 정현석 대표이사, 피에스케이 이경일 대표이사, 케이씨텍 고상걸 부회장 등 임직원 100여명이 참석했다. 

이번 3나노 반도체 양산 성과는 기존의 반도체 기술을 혁신적으로 개선한 GAA 구조(스위치와 통로를 4개면 접촉해 기존 대비 전력50%↓, 성능 30%↑, 면적 35%↓)를 활용했다는 점에서 기술적 의의가 높다. 또 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 세계 최초로 달성한 것으로 중요한 의미를 갖는다.

삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 정기태 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다.

이어 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며, “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다.

삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.

삼성전자는 화성캠퍼스 내 EUV 전용 V1라인에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.

이창양 산업부 장관은 “정부도 지난주 발표한 반도체 초강대국 달성전략을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라며 “3나노 파운드리 시장을 안정적으로 확보하기 위해서는 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요해, 반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이, 배터리, 미래 모빌리티, 로봇, 바이오 등 반도체 플러스 산업에 대한 경쟁력 강화방안을 순차적으로 수립하여 적극 이행하겠다고 강조했다.

행사에 참석한 국내 반도체 장비 업체 원익IPS 이현덕 대표는 “삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리공정 양산을 준비하며 원익아이피에스 임직원의 역량도 한 층 더 강화됐다”며 “앞으로도 국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다”고 밝혔다.