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  • 기사등록 2021-10-18 16:17:29
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▲ 삼성전자 14나노 EUV DDR5 D램

삼성전자가 업계 유일의 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 공정을 이용해 14나노 D램의 양산을 시작했다고 밝혔다.

EUV 공정이란 반도체를 만드는 데 중요한 과정으로, 포토공정에서 극자외선 파장의 광원을 사용하는 리소그래피(Extreme ultraviolet lithography)기술 또는 이를 활용한 제조 공정을 의미한다.

삼성전자는 업계 최초로 EUV 공정을 적용하여 D램 모듈을 생산, 공급한 바 있으며, 업계 유일의 EUV 멀티레이어 공정을 적용하여 생산한 최선단 14나노 D램을 선보이고 있다.

또한, 삼성전자는 EUV 노광 기술을 이용해 D램의 성능과 수율을 향상시켜, 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보할 계획이다.

5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상되었으며, 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다고 밝혔다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용할 예정이며, 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이라고 밝혔다.

DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 2배 이상의 빠른 속도를 자랑하는 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속해서 커지고 있다.

이에 삼성전자는 업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해, DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장 이주영 전무는 “삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다”며, “고용량, 고성능뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다”고 밝혔다.



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