삼성전자가 메모리반도체에 이어 시스템반도체 세계시장을 석권하기 위해 2030년까지 171조원을 투자한다.  

삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 ‘K-반도체 벨트 전략 보고대회’에서 2030년까지 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에 총 171조원을 투자한다고 밝혔다. 이는 지난 2019년 발표한 ‘시스템반도체 비전 2030’에서 제시한 133조원의 투자계획 대비 28조원이 늘어난 금액이다.

우선 2022년 하반기 완공을 목표로 평택 3라인 건설이 본격 착수된다. 평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기로 최첨단 EUV 기술을 적용해 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.

평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지이자 글로벌 반도체 공급기지로서의 주도적 역할이 더욱 강화될 전망이다.

삼성전자는 앞으로 차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가고 △메모리와 시스템반도체를 융합한 ‘HBM-PIM’ △D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 ‘CXL D램’ 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 ‘초격차 세계 1위’ 위상을 강화할 계획이다.

국내 반도체 생태계의 발전을 위한 상생협력과 지원·투자도 더욱 확대된다. 삼성전자는 시스템반도체 생태계 육성을 위해 팹리스 대상 IP 호혜 제공, 시제품 생산 지원, 협력사 기술교육 등 다양한 상생 활동을 더욱 확대하고 공급망 핵심인 소재·부품·장비 업체는 물론 우수 인재 육성을 위한 학계와의 협력을 더욱 강화해 나갈 예정이다.

특히 파운드리 분야는 사업이 커지면 커질수록 국내 팹리스 기업들의 성장 가능성이 커지고, 많은 팹리스 창업이 이뤄지며 전반적인 시스템 반도체 산업의 기술력이 업그레이드 되는 부가 효과를 유발한다.

삼성전자의 파운드리 사업 확대는 5G, AI, 자율주행 등 우리나라 미래 산업의 밑거름 역할을 할 것으로 기대된다.

이날 행사에서 삼성전자 김기남 부회장은 “한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다”며 “수성에 힘쓰기 보다는, 결코 따라올 수 없는 초격차를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장 서겠다”고 강조했다.