하이닉스반도체(대표 권오철)는 올해 투자금액을 기존 2조3,000억원에서 3조500억원으로 7,500억원 확대한다고 31일 밝혔다.

회사는 투자확대 배경에 대해 견조한 수요를 바탕으로 최근 메모리반도체 시장환경이 변화되고 있는 가운데, 서버·그래픽·모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것이라고 설명했다.

아울러 회사는 차세대 제품 개발을 위한 연구개발에도 투자를 확대해 기술경쟁력을 강화한다는 전략이다.

이번에 결정된 투자 확대로 경쟁사보다 빨리 40나노급 D램 공정전환을 가속화해 약 15% 수준인 40나노급 제품비중을 연말까지 약 50% 수준으로 확대할 예정이다.

40나노급 D램은 50나노급에 비해 50% 이상 생산성이 우수해 원가경쟁력 강화에 기여할 것으로 예상되는 데 회사는 이를 바탕으로 DDR3 등의 제품을 고객에게 적기에 공급해 수익성을 높인다는 계획이다.

회사 관계자는 “미세공정전환 가속화 및 차세대 제품 개발역량 집중으로 경쟁사들과의 원가 및 기술 경쟁력 격차를 더욱 확대할 계획”이라고 밝혔다.