▲ 1TB BGA SSD.

삼성전자가 ‘4세대 V 낸드’ 기반의 신제품을 공개하며 프리미엄 메모리 시장에서의 주도권을 이어간다.

삼성전자는 10일 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2016(Flash Memory Summit)’에서 차세대 V낸드 솔루션을 전격 공개하고, 플래시 메모리의 새로운 가능성을 제시했다.

삼성전자는 이번 플래시 메모리 서밋에서 4세대(64단) V낸드 기술을 바탕으로 3차원 메모리 기술 리더십을 공고히 하고, 빅데이터 시대를 맞아 초고용량의 ‘테라’ 시대를 주도해 나간다는 중장기 전략을 공개했다.

삼성전자는 빅데이터의 증가와 고속 처리, 데이터센터 관리 비용 절감 등 시장 요구에 맞춰 ‘고용량, 고성능, 초소형’ 솔루션으로 기업 고객들의 IT 투자 효율을 극대화하겠다는 전략이다.

이에 따라 삼성전자는 △기존 3세대(48단) 제품 대비 적층 단수를 30% 높인 4세대(64단) V낸드 △고용량 서버용 32TB SAS SSD △울트라 슬림 PC용 1TB BGA NVMe SSD △하이엔드용 Z-SSD 등 혁신적인 4세대 V낸드 기반 신제품을 선보였다.

‘4세대 V낸드’는 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀(Cell)’을 기존(48단)보다 1.3배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 혁신 기술이 적용된 제품이다.

4세대 V낸드는 512Gb까지 구현 가능해 고용량 제품을 소형 패키지로 만들 수 있으며, 입출력 속도를 800Mbps까지 향상시켰다.

삼성전자는 세계 최초로 4세대 V낸드 기반 솔루션 제품을 올해 4분기에 출시할 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “고객들에게 4세대 V낸드 기반 고용량, 고성능, 초소형 솔루션을 제공해 스토리지 시스템의 TCO(Total Cost of Ownership) 절감 효과를 극대화할 수 있게 됐다”며 “향후 독보적인 V낸드 기술을 바탕으로 스토리지 사업 영역을 지속 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.