▲ 64층 적층 BiCS 플래시 메모리.

도시바 코퍼레이션은 지난27일 4세대 64단 3차원 낸드플래시 메모리 ‘BiCS FLASH™’ 샘플을 출하했다고 밝혔다. 도시바는 다음 목표는 64단 512Gb라고 밝혔다.

신제품은 기존의 48층 BiCS FLASH™의 후속작으로 최첨단의 64층 적층 공정을 이용해 48층 적층 공정에 비해 칩의 면적 당 40% 늘어난 용량을 가지며 비트당 소요되는 비용 절감, 실리콘 웨이퍼 한 장당 생산되는 메모리 용량이 증가시켰다.

도시바는 이달 초 공식적으로 문을 연 요카이치 공장의 뉴팹2(New Fab 2)에서 새로운 64층 BiCS FLASH™를 생산하며. 64층 BiCS FLASH™의 양산은 2017년 상반기에 시작될 예정이다.

현재 메모리반도체 시장은 48단 256Gb가 양산되고 있으며 삼성전자는 오는 12월초에 64단 ‘V낸드’의 양산을 목표로 하고 있다.