린데그룹이 낸드플래시 메모리 칩 생산량 증대를 위해 볼텍스사의 디실란 플랜트에 투자한다.

린데그룹의 글로벌 전자 사업부가 4일 볼텍스(Voltaix)사의 미국 펜실베니아 주에 위치한 초 고순도 디실란 플랜트에 투자한다고 밝혔다.

볼텍스사는 반도체 및 태양광 산업에 필요한 재료를 생산하는 회사다. 이에 린데는 차세대 낸드플래시 메모리 칩 생산에 필요한 대량의 디실란(Si₂H₆) 생산을 위해 볼텍스사와 파트너쉽을 체결했다.

린데가 투자한 이 플랜트는 연간 40톤의 규모의 디실란을 생산할 수 있으며 이는 주요 메모리 제조사들로 하여금 빠르게 성장하는 수요에 맞춰 낸드 플래시와 D램 메모리 칩 생산량 증가를 가능하게 할 것으로 보고 있다.

홀거 키르크너 린데그룹의 전자사업 특수가스사업부 총괄은 “린데와 볼텍스사의 이번 파트너십은 차세대 메모리 디바이스 제조에 있어서 혁신적인 지원을 가능하게 할 것이다”며 “포틀랜드에 위치한 대규모의 이 플랜트 덕분에 우리는 전자 산업에 있어 선도적인 가스 전문 공급 업체로서의 위치를 강화할 것”이라고 말했다.

또한 “이번 계약을 통해 초 고순도 디실란에 대한 전 세계 낸드플래시 메모리 칩 제조업체들의 현재와 미래의 수요를 충족시킬 수 있는 이상적인 위치를 점하게 되었다”고 말했다.

피터 스미스 볼텍스 CEO는 “우리는 주요 파트너인 린데 전자사업부의 도움을 통해 디실란 대량 생산에 있어 선도적인 위치를 점하게 될 것이다”고 말했다.

한편 디실란은 전통적으로 사용되던 모노실란 보다 상당한 프로세스 개선을 제공해 5nm 미만 두께의 고품질 실리콘 필름 증착에 있어 저온 공정이 가능한 것으로 알려지고 있다.

이에 디실란은 기존의 퍼니스(batch furnace) 장비와 싱글 웨이퍼 장비에서의 사용을 가능하게 하고, 더 높은 증착률로 인해 모노실란 사용 대비 생산량을 늘릴것으로 기대되고 있다.