▲ ▲광주과기원의 정건영 교수(左)와 정문석 책임연구원. ▲광주과기원의 정건영 교수(左)와 정문석 책임연구원

차세대 조명 광원인 InGaN(인듐갈륨타이트라이드) 청색 LED의 발광 효율을 30% 향상시키는 원천기술이 국내연구진에 의해 개발됐다.

이번 연구성과는 교육과학기술부와 한국연구재단이 추진한 일반연구자지원사업(신진연구)과 나노원천기술개발사업의 지원을 받은 광주과기원의 정건영 교수와 정문석 책임연구원의 주도하에 결실을 맺었다.

연구 결과는 재료공학분야에서 세계적으로 권위 있는 과학 저널인 ‘어드밴스드 펑셔널 머티리얼즈(Advanced Functional Materials, IF = 6.808)’誌 4월9일자에 주목할 만한 논문으로 선정돼 표지논문(frontispiece)으로 게재됐다.

이번에 개발된 기술은 기존의 LED에 비해 전기적인 특성은 저하시키지 않고, 산화아연 나노막대의 광도파로(optical waveguide: 빛이 지나가는 길) 현상에 의해 30% 이상 발광효율을 증가시켰다.

이번 연구성과에 대해 정건영 교수는 “광도파관 역할을 하는 산화아연(ZnO) 막대를 저온에서 LED 전극 구조에 영향을 주지 않고 성장시켜, 발광 효율을 획기적으로 향상시킨 원천기술”이라며 “후속 연구인 ‘대면적 적용을 위한 리소 그라피법을 이용한 산화아연 로드의 수직 정렬 연구’ 등의 나노 기술과 융합하면 향후 세계 LED 조명시장에 우리나라가 우위를 선점할 수 있을 것”라고 밝혔다.