▲ 기존 NVMe SSD 제품대비 성능을 획기적으로 향상시킨 하이엔드 SSD제품 ‘Z-SSD’.

삼성전자가 세계 최대용량의 차세대 V낸드 솔루션을 발표하며 프리미엄 메모리 시장을 선도하고 있다.

삼성전자가 8일 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2017(Flash Memory Summit)’에서 세계 최대용량의 V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 선보였다.

삼성전자는 이번 서밋에서 △세계 최대 용량의 ‘1Tb V낸드’ △서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 ‘NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD’ △기존 SSD보다 성능을 획기적으로 향상시킨 ‘Z-SSD’ △신개념 데이터 저장방식을 적용한 ‘Key Value SSD’ 등 혁신적인 V낸드 기반 신기술을 공개했다.

삼성전자는 이날 서밋에서 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀(Cell)’ 용량을 기존(512Gb)보다 2배 늘린 ‘1Tb 낸드’를 공개했다.

‘1Tb 낸드’는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 만들 수 있어, SSD의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다.

삼성전자는 1Tb V낸드가 적용된 최대용량의 SSD 제품을 2018년에 본격 출시할 예정이다.

또한 삼성전자는 서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격인 ‘NGSFF SSD’를 발표했다.

기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 ‘NGSFF SSD’로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상 시킬 수 있다.

이날 서밋에서 삼성전자는 16TB ‘NGSFF SSD’ 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개했고, 2U 시스템으로 1PB(페타바이트)의 스토리지 시스템을 구현할 수 있다.

삼성전자는 ‘NGSFF SSD’를 4분기부터 양산하여 고객 수요에 대응하고, 내년 1분기에 JEDEC 표준화를 완료하여 데이터센터 및 다양한 서버 고객들이 더욱 효율적으로 시스템을 구축할 수 있게 할 예정이다.

삼성전자 진교영 메모리사업부장은 “지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해, 고객 가치를 극대화 하고, 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 2013년 세계 최초 V낸드(1세대, 24단) 양산을 시작으로, 올해 4세대 V낸드를 양산하는 등 낸드플래시 혁신을 주도해왔으며, 향후에도 첨단 솔루션을 통해 프리미엄 메모리 시장을 선도해 나갈 계획이다.